横向高压器件LIGBT的新型结构

• 作者: 张国海 杨媛
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: LIGBT 结构 关断时间 闩锁效应 功率器件 IC
• 年，卷（期）: bdtzz_1998,（4）
• 页码范围: 45-50
• 页数: 6页
• 分类号: TN303

摘要

围绕传统型横向高压器件ＬＩＧＢＴ存在的关断时间较长和闩锁电流密度较小等缺点，本文对近年来提出的一系列新型结构的ＬＩＧＢＴ作为较系统的分析与对比。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨媛	西安理工大学电子工程系	92	559	12.0	19.0
2	张国海	西安理工大学电子工程系	1	0	0.0	0.0