高输入阻抗达林顿晶体管的优化设计

• 作者: 张华曹
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高输入阻抗 达林顿 最佳设计
• 年，卷（期）: 1998,（4）
• 页码范围: 388-393
• 页数: 6页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.1998.04.012

摘要

提出了VDMOS和双极晶体管复合而成的达林顿功率晶体管结构和工艺参数的优化设计方法, 建立了设计模型. 经验证设计结果和实验结果基本吻合. 该研究对开发此类器件具有参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张华曹	西安理工大学自动化与信息工程学院	15	41	4.0	6.0