Ti-AlN界面组分分布的二次离子质谱研究

• 作者: 岳瑞峰 徐传骧 王佑祥 陈春华
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 二次离子质谱 Ti/AlN界面 组分分布 铝化物
• 年，卷（期）: 1998,（1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 50-57
• 页数: 8页
• 分类号: TB7
• 字数: 3497字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.1998.01.009

摘要

采用电子束蒸发方法在200℃的抛光AlN陶瓷衬底上淀积厚度为200nm的Ti膜,并在高真空中退火.利用二次离子质谱(SIMS)对样品进行了深度剖析,给出了Ti/AlN界面组分分布随退火温度和时间的变化关系.在界面区发现了铝化物及其他反应产物.结合卢瑟福背散射谱(RBS),X射线衍射分析(XRD)和Ti-Al-N三元相图推断,铝化物是Ti-Al二元和Ti-Al-N三元化合物.经850℃退火4 h后其主要由Ti2AlN组成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	岳瑞峰	中国科学院表面物理国家重点实验室	3	18	3.0	3.0
3	陈春华	中国科学院表面物理国家重点实验室和半导体研究所	22	244	8.0	15.0
6	王佑祥	中国科学院表面物理国家重点实验室和半导体研究所	4	6	2.0	2.0
7	徐传骧	中国科学院半导体研究所	1	3	1.0	1.0