原位电阻法监测无限层薄膜沉积和热处理过程

• 作者: 丁凤莲 孙云峰 孙寅官 孙平 牛家胜
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 原位电阻 无限层薄膜 热处理
• 年，卷（期）: 1998,（3）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 232-235
• 页数: 4页
• 分类号: TB4
• 字数: 2120字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.1998.03.013

摘要

用原位电阻法监测了无限层薄膜(Sr0.7Ca0.3)0.9K0.1CuO2沉积时电阻随时间(即膜厚)的变化过程,以及薄膜热处理过程中电阻随温度的变化过程.通过监测了解到氧含量在无限层薄膜中起着重要作用.沉积完毕对真空室充入0.1MPaO2时薄膜吸氧.对薄膜热处理时,薄膜吸氧或放氧发生在330℃以上.低真空条件下的热处理过程是可逆的;而在高真空条件下,薄膜在高温时分解,显示出半导体行为.该方法直观有效,也可以成为制备其他非绝缘薄膜的监测手段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙平	北京师范大学物理系	15	73	5.0	8.0
2	丁凤莲	北京师范大学物理系	7	58	3.0	7.0
3	孙寅官	北京师范大学物理系	10	64	4.0	8.0
4	牛家胜	北京师范大学物理系	2	1	1.0	1.0
5	孙云峰	北京师范大学物理系	1	0	0.0	0.0