双掺杂TGS晶体--LUTGS

• 作者: 史伟 孙洵 房昌水 王民
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: LUTGS晶体 内偏压电场 材料优值 热释电晶体
• 年，卷（期）: 1998,（4）
• 页码范围: 326-329
• 页数: 4页
• 分类号: O7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.1998.04.005

摘要

分别在58～54℃和45～38℃温区生长了完整的LUTGS单晶.揭示了两种晶体的生长习性.通过对两种晶体电滞回线、介电、热释电性能的测量,发现两温区生长的LUTGS单晶的热释电材料优值M(P/ε)无大差异,但都比纯TGS有显著提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙洵	山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室	51	403	11.0	17.0
2	王民	山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室	27	290	7.0	16.0
3	房昌水	山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室	53	430	13.0	19.0
4	史伟	山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室	18	145	7.0	11.0