射频溅射沉积TaOx薄膜离子导体性能

• 作者: 史月艳 孙雷
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 射频反应溅射 离子导体 电致变色
• 年，卷（期）: 1998,（1）
• 页码范围: 0
• 分类号: TK5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.1998.01.004

摘要

利用射频反应溅射沉积方法在不同氧含量下以WO3/ITO/Glass为基体,制备了一系列厚度大于200nm的TaOx薄膜,并用Arnoldussen方法检测离子导电性能.结果表明,当溅射功率为150W、氧含量10～80%条件下制备的TaOx薄膜均为离子导体.其中氧含量20-40%时离子导电性能最佳.用TaOx薄膜作为离子导体制备的Al/Niox/TaOx/Wox/ITO/Glass电致变色器件,其着色态在可见光谱范围(0.38-0.78μm)的平均反射比为11.2%,漂白态时对应的平均反射比可达83.2%.本文还讨论了TaOx离子导体的离子导电机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙雷	清华大学电子工程系	3	40	2.0	3.0
2	史月艳	清华大学电子工程系	8	70	3.0	8.0