GaAs抛光表面损伤的RBS研究

• 作者: 万群 董国全 陈坚邦
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: 抛光 砷化镓晶片表面 表面损伤 卢瑟福背散射
• 年，卷（期）: 1998,（4）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 317
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.1998.04.018

摘要

本文以卢瑟福离子背散射技术 (RBS) 检测了半绝缘GaAs (100) 化学机械抛光表面的微损伤状况,并以α台阶仪测量了抛光表面的粗糙度.研究了以胶体SiO2和NaOCl溶液的混合液对GaAs进行化学机械抛光方法中主要工艺条件对表面质量的影响.把RBS法同X射线双晶衍射法对表面损伤的测量结果进行了比较,二者对应得很好.通过逐层腐蚀与RBS相结合测定了抛光过程造成的损伤层的厚度,发现如果抛光条件不适宜,获得的晶片表面尽管目视光洁度很好,也还有一定厚度的损伤层. RBS法测得好的非掺半绝缘GaAs (100) (由LEC法生长) 抛光表面散射粒子最低产额低达3.1%,这样的晶片用腐蚀法未发现有损伤层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈坚邦		7	77	4.0	7.0
2	董国全		1	7	1.0	1.0
3	万群		1	7	1.0	1.0