能态密度及其在解释半导体物理问题中的应用

• 作者: 林鸿生
• 来源期刊: 大学物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 能态密度 杂质饱和电离 Gunn效应
• 年，卷（期）: 1998,（4）
• 所属期刊栏目: 教学研究
• 页码范围: 8-10
• 页数: 3页
• 分类号: O471.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0712.1998.04.004

摘要

通过对半导体杂质饱和电离、灰锡(α-Sn)半导体特性以及Gunn效应等的解释,指出能态密度在研究半导体物理现象中的重要应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林鸿生	中国科学技术大学物理系	16	74	5.0	8.0