退火温度对InP晶体中Er3+离子的发光特性影响的研究

• 作者: 张喜田 王玉玺
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子注入 光致发光 配位体 稀土元素 半导体材料 磷化铟
• 年，卷（期）: 1998,（2）
• 页码范围: 152-155
• 页数: 4页
• 分类号: O7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.1998.02.010

摘要

利用离子注入法,以300keV的能量,7×1014cm-2的剂量,在室温下,对(100)InP晶体进行稀土(RE)元素Er的注入;分别在600℃、650℃、700℃、750℃、800℃温度下,采用安瓿闭管恒温退火20h.二次离子质谱仪(SIMS)观测到稀土元素Er原子在InP中的分布,直到800℃时几乎没有变化;在77K温度下,观测到InP中Er3+离子的1.54μm特征光致发光(PL)峰.提出退火温度对InP中Er3+离子的光致发光强度影响的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玉玺	哈尔滨师范大学物理系	5	47	2.0	5.0
2	张喜田	哈尔滨师范大学物理系	18	74	6.0	8.0