电弧-AES法测定金属硅中12个杂质元素

• 作者: 巩卫东
• 来源期刊: 光谱实验室
• 学科: 化学
• 关键词: 直流电弧 金属硅 杂质元素
• 年，卷（期）: 1998,（4）
• 页码范围: 0
• 分类号: O6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-8138.1998.04.017

摘要

用直流电弧粉末法在氩气气氛中摄谱,消除硅带干扰,采用铍为内标,直接测定金属硅中12个杂质元素,此法较化学光谱法具有操作简便、快速,试剂耗量少;较化学法和分光光度法更加优越,能同时测定12个元素,更能反映金属硅的真实含量.