MOCVD化合物半导体材料及其应用

• 作者: 彭瑞伍 胡金波
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) MOCVD半导体材料 MOCVD半导体器件
• 年，卷（期）: 1998,（3）
• 所属期刊栏目: 特邀专家评论
• 页码范围: 164-168
• 页数: 5页
• 分类号: TB3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.1998.03.002

摘要

总结了我国在MOCVD化合物半导体材料方面的最新进展, 重点为MOCVD化学、Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体材料及其在光电和微波器件中的应用. 为进一步发展我国的MOCVD材料提出了若干建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭瑞伍	中国科学院上海冶金研究所	2	13	2.0	2.0
2	胡金波	中国科学院上海冶金研究所	9	54	4.0	7.0