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预热自蔓延合成SiC粉末机理的研究
预热自蔓延合成SiC粉末机理的研究
作者:
王声宏
王铁军
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
预热
自蔓延高温合成
碳化硅
摘要:
对预热SHS法合成SiC粉末所需的最低预热温度及产物粒度与反应物原始粒度的关系等进行了研究.发现合成的SiC粉末的粒度与Si粉粒度无关,在此基础上对SiC的形成机制进行了探讨.在通氮气情况下,预热SHS-SiC反应中有一个β-Si3N4的生成过程,但生成的β-Si3N4在反应的高温下又很快分解.
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文献信息
篇名
预热自蔓延合成SiC粉末机理的研究
来源期刊
硅酸盐学报
学科
工学
关键词
预热
自蔓延高温合成
碳化硅
年,卷(期)
1998,(2)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
240-245
页数
6页
分类号
TQ17
字数
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0454-5648.1998.02.017
五维指标
作者信息
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单位
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自蔓延高温合成
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硅酸盐学报
主办单位:
中国硅酸盐学会
出版周期:
月刊
ISSN:
0454-5648
CN:
11-2310/TQ
开本:
大16开
出版地:
北京市海淀区三里河路11号
邮发代号:
2-695
创刊时间:
1957
语种:
chi
出版文献量(篇)
6375
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