TEM观察砷化镓晶片损伤层

• 作者: 杨钧 钱嘉裕 陈坚邦
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓晶片 损伤层 透射电镜(TEM) 扫描电镜(SEM)
• 年，卷（期）: 1998,（5）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 392-395
• 页数: 4页
• 分类号: TG146
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.1998.05.016

摘要

用透射电镜、扫描电镜对GaAs材料加工工艺中的表面损伤层进行了观察和检测. 结果切片损伤层深度≤50 μm、双面研磨损伤层深度≤15 μm、机械化学抛光损伤层深度 (腐蚀前) <1.2 μm. 分析了损伤结构及其引入的因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈坚邦		7	77	4.0	7.0
2	钱嘉裕		5	19	3.0	4.0
3	杨钧		2	9	1.0	2.0