应变p型Si1-xGex层中载流子冻析

• 作者: 孙英华 张万荣 李志国 沈光地 程尧海 罗晋生 陈建新
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应用Si1-xGex层 载流子冻析 电离杂质浓度
• 年，卷（期）: 1998,（11）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 51-54
• 分类号: TN0
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.1998.11.012

摘要

本文用解析的方法研究了应变p型Si1-xGex层中载流子冻析现象.研究发现,用Si归一化的Si1-xGex价带有效态密度,随x的增加而减小,而且温度T越低,随Ge组份x的增加而减少的速度越快.与Si相比,常温下Ge组份x几乎对电离杂质浓度没有什么影响,而在低温下,随Ge组份x的增加,电离杂质浓度随之增加,载流子冻析减弱,这对低温工作的Si1-xGex器件有利.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志国	北京工业大学电子工程系	57	418	12.0	18.0
2	沈光地	北京工业大学电子工程系	192	1444	18.0	29.0
3	罗晋生	西安交通大学微电子研究所	28	194	7.0	13.0
4	陈建新	北京工业大学电子工程系	65	441	11.0	17.0
5	张万荣	北京工业大学电子工程系	105	390	8.0	12.0
6	孙英华	北京工业大学电子工程系	8	27	3.0	5.0
7	程尧海	北京工业大学电子工程系	17	154	6.0	12.0