纳米INAS镶嵌复合薄膜的制备及光吸收

• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米镶嵌复合薄膜 射频共溅 光吸收 量子限域
• 年，卷（期）: 1998,（12）
• 页码范围: 1273-1277
• 页数: 5页
• 分类号: TB383
• 语种: 中文

摘要

采用射频共溅技术制备了InAs_SiO2 镶嵌复合薄膜 ,透射电子显微镜观察分析了该复合薄膜的微结构和形成规律 .结果表明 ,随着衬底温度的提高 ,复合薄膜中InAs的聚集状态经历由完全弥散到分形聚集再到纳米晶颗粒的转变 .测量了该复合薄膜室温光吸收谱 ,观察到了吸收边发生较大蓝移的现象 ,并用量子取域理论对这种现象进行了解释 .