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摘要:
本文介绍了LiNbO3抽头延迟线(TDL)外接p+n二极管阵列结构的声表面波(SAW)存贮相关卷积器.器件的中心频率为30MHz,卷积效率为-54dBm,存贮相关效率为-76dBm,信号存贮时间大于70ms.文中讨论了杂波产生的原因及其抑制,以及二极管阵列少子寿命与存贮时间的关系,计算了相关输出与参考信号和读信号的关系,结果表明这种结构的器件是双线性的.文中还对这种结构器件的设计及优化提出了建议.
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文献信息
篇名 声表面波存贮相关卷积器的研制
来源期刊 电子学报 学科 工学
关键词 存贮相关卷积器 二极管阵列 少子寿命 声表面波 抽头延迟线 电子辐照
年,卷(期) 1998,(6) 所属期刊栏目 学术论文与技术报告
研究方向 页码范围 0
页数 分类号 TN0
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0372-2112.1998.06.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 水永安 南京大学声学研究所 7 18 3.0 4.0
2 赵杰 东南大学电子工程系 5 17 1.0 4.0
3 张朝 中国科学技术大学电子工程与信息科学系 7 56 3.0 7.0
4 印建华 南京大学声学研究所 1 0 0.0 0.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
存贮相关卷积器
二极管阵列
少子寿命
声表面波
抽头延迟线
电子辐照
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子学报
月刊
0372-2112
11-2087/TN
大16开
北京165信箱
2-891
1962
chi
出版文献量(篇)
11181
总下载数(次)
11
总被引数(次)
206555
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