GD膜在NI(110)上生长的同步辐射研究

• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 工学
• 关键词: GD膜 同步辐射 NI(110)表面
• 年，卷（期）: 1998,（10）
• 页码范围: 1160-1163
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文

摘要

应用同步辐射 (hν =10 0eV)和XPS研究了稀土金属Gd室温下在清洁的Ni(110 )表面上的生长过程 .发现了随着Gd膜厚度的增加 ,Gd(4f)谱带由位于 8 5eV的单峰向位于 8 5和 10 8eV的双峰结构转变 .Gd(4d)峰亦有类似的结果 .该表面在 6 0 0K高温退火引起了Gd 4f和 4d双峰中的高结合能峰的强烈衰减和消失 .对室温下Gd在Ni(110 )面上的生长模式及在高覆盖度时生成的Gd 4f和 4d高结合能峰的本质进行了讨论 .