负衬底偏压热灯丝CVD金刚石膜成核的研究

• 作者: 冯斌 廖克俊 方亮 王万录 王必本
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 热灯丝CVD 金刚石薄膜 成电核子发射
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 页码范围: 65-68
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2188字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.1999.01.013

摘要

本文利用扫描电子显微镜和原子力显微镜研究了Si(100)衬底上热灯丝金刚石膜成核过程.在-240V和250mA下,在镜面抛光的Si(100)衬底上金刚石最大成核密度超过了1010cm-2.研究表明,负衬底偏压增强成核主要是发射电子和离子轰击的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王万录	重庆大学应用物理系	109	849	16.0	22.0
2	廖克俊	重庆大学应用物理系	66	513	12.0	19.0
3	方亮	重庆大学应用物理系	62	513	12.0	18.0
4	王必本	重庆大学应用物理系	15	91	5.0	9.0
5	冯斌	重庆大学应用物理系	9	80	5.0	8.0