ZnO压敏电阻片残压比与微观结构参数的关系

• 作者: 刘辅宜 李盛涛 谢峰
• 来源期刊: 电瓷避雷器
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO 压敏电阻片 残压比 微观结构
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 所属期刊栏目: 避雷器
• 页码范围: 20-24
• 页数: 5页
• 分类号: TM8
• 字数: 2910字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-8337.1999.05.005

摘要

实验研究了厚度d对ZnO压敏电阻片残压比Kr的影响规律,表明残压比同样存在几何效应;实验还表明残压比Kr随电位梯度E1mA成反比例下降,随平均晶粒尺寸μ的增大而增大;找到了一个综合微观结构参数--平均晶粒尺寸μ和晶粒尺寸方差σ2的乘积(σ2μ),能较好地反映电性能与微观结构参数的关系. 提出了计算机模拟微观结构模型,并用计算机模拟了残压比Kr和厚度d、Kr和平均晶粒尺寸μ以及Kr和乘积σ2μ的关系,模拟结果与实验结果基本一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李盛涛	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	98	927	20.0	26.0
2	刘辅宜	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	8	105	5.0	8.0
3	谢峰	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	2	22	2.0	2.0