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摘要:
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多重量子阱光致发光及表面本征态数值分析
多孔硅
量子阱
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本征态
量子阱LD有源区量子阱数目的优化设计
量子阱LD
腔体参数
有源区量子阱数目
优化设计
双势垒系统伏安特性的数值模拟
双势垒系统
负微分电阻
伏安特性
内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 双量子阱系统伏安特性的数值模拟
来源期刊 真空电子技术 学科
关键词
年,卷(期) 1999,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 5
页数 1页 分类号
字数 2019字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-8935.1999.02.002
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空电子技术
双月刊
1002-8935
11-2485/TN
大16开
北京749信箱7分箱
1959
chi
出版文献量(篇)
2372
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7
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8712
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