(Ga,In)As半导体MOVPE生长过程中源物质的热分解及半导体碳污染的分析

• 作者: 张维敬 李长荣 李静波 王冈
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: (Ga,In)As半导体 相平衡 热分解 碳污染
• 年，卷（期）: 1999,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 209-213
• 页数: 5页
• 分类号: TG146
• 字数: 2405字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.1999.03.012

摘要

运用相平衡分析的方法,对(Ga,In)As半导体MOVPE生长过程中源物质热分解后的气相物种分压进行了分析,得到了沉积物种的生成率随各生长参数的变化规律,同时对气相物种分压与半导体碳污染的关系也进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李长荣	北京科技大学材料科学与工程学院	87	551	12.0	16.0
2	张维敬	北京科技大学材料科学与工程学院	7	9	1.0	3.0
3	李静波	北京科技大学材料科学与工程学院	3	0	0.0	0.0
4	王冈		1	0	0.0	0.0