高场应力对隧道氧化层电特性的影响

• 作者: 于宗光
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 隧道氧化层 高场 陷阱电荷 应力
• 年，卷（期）: 1999,（3）
• 所属期刊栏目: 器件研究与制造
• 页码范围: 19-24
• 页数: 6页
• 分类号: TN3
• 字数: 3518字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.1999.03.004

摘要

详细研究了N+埋层-隧道氧化层-多晶硅电容(N+OP电容)和P型衬底-隧道氧化层-多晶硅电容(POP电容)在高场应力下的高频C-V特性和I-V特性的漂移,以及两种电容在隧道氧化层中陷阱电荷的产生现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于宗光		1	0	0.0	0.0