AlN基片的薄膜金属化

• 作者: 吴云海 秦跃利 陆吟泉 高能武
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: AlN基片 薄膜 金属化
• 年，卷（期）: 1999,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 22-23
• 分类号: TN451
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.1999.05.009

摘要

讨论了AlN基片的薄膜金属化.通过试验,确定了有效的清洗方法及优化溅射参数.实验证明,TiW-Au是AlN的优良金属化体系.AlN材料经激光划片后出现导电物质,经稀盐酸处理可去掉导电物质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高能武		5	33	3.0	5.0
2	秦跃利		4	18	2.0	4.0
3	陆吟泉		2	10	1.0	2.0
4	吴云海		2	17	2.0	2.0