掺质KTP型晶体生长与性能研究

• 作者: 张克从 王希敏 龚亚京
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: KTP晶体 非线性光学晶体 掺质 溶液法晶体生长 离子电导率 二次谐波发生
• 年，卷（期）: 1999,（4）
• 页码范围: 314-322
• 页数: 9页
• 分类号: O782.1
• 字数: 6136字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.002

摘要

采用高温溶液法生长了含掺质离子Zr4+,Ga3+的单掺和双掺系列KTP型晶体.晶体生长过程中发现Ga掺入溶液后,体系更加稳定,容易生长出光学质量的晶体;而Zr掺入溶液后体系稳定性降低,晶体生长较困难.用等离子体发射光谱测定了各掺质离子在晶体中的含量,计算出掺质离子的分配系数,发现生长体系中Ga无论是在高掺入量还是低掺入量的情况下,Ga在晶体中的含量都十分稳定.测定了晶体的晶胞参数、紫外-可见-红外吸收光谱,测定的结果发现,晶胞参数均变化不大,在吸收光谱中Ga:KTP在可见光谱区有少量的光吸收,而Zr:KTP晶体是无色透明的.通过粉末倍频实验发现,Zr的掺入有助于晶体倍频转换效率的提高.通过晶体c轴向离子电导率的测试发现,Ga的掺入使c轴向电导率降低了大约3个数量级.双掺Zr和Ga的晶体是性能更为优良的掺质KTP型晶体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张克从	北京工业大学环境与能源工程学院	19	190	7.0	13.0
2	王希敏	北京工业大学环境与能源工程学院	17	147	6.0	11.0
3	龚亚京	北京工业大学环境与能源工程学院	1	14	1.0	1.0