Cd:PbWO4晶体的生长及其性质

• 作者: 刘欣荣 徐悟生 徐衍岭 杨春辉 王锐 陈刚
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺镉钨酸铅晶体 发射光谱 发光效率 闪烁晶体 引上法晶体生长
• 年，卷（期）: 1999,（2）
• 页码范围: 168-171
• 分类号: O782.5|O734.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.011

摘要

采用提拉法生长了Cd:PbWO4晶体,最佳生长工艺参数:液面上和液面下轴向温度梯度分别为40～50 ℃/cm和17～25 ℃/cm,生长速度2～3 mm/h,转速为25～30 r/min,以这一条件生长晶体可克服液流转换,避免由此引起的缺陷.Cd:PbWO4的透过率明显高于各类型未掺杂PbWO4晶体,测得Cd:PbWO4的发光效率为21.2 p.e/MeV,而高纯PbWO4为10.5 p.e/MeV,分析纯退火PbWO4为8.2 p.e/MeV,未退火PbWO4为6.7 p.e/MeV.Cd:PbWO4晶体的平均衰减时间约为10 ns.以上结果表明,Cd:PbWO4是一种良好的闪烁晶体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐悟生	哈尔滨工业大学应用化学系	32	150	5.0	10.0
2	王锐	山东大学晶体材料国家重点实验室	22	219	8.0	14.0
3	刘欣荣	哈尔滨工业大学应用化学系	13	39	4.0	5.0
4	徐衍岭	山东大学晶体材料国家重点实验室	1	4	1.0	1.0
5	杨春辉		1	4	1.0	1.0
6	陈刚		4	19	3.0	4.0