半导体中法诺态及其相应的光谱特性--半导体Ⅱ类量子阱中能带结构

• 作者: 王舒民 郭九苓 郭长志 陈水莲
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 法诺干涉 半导体Ⅱ类量子阱 半导体激光器 无反转增益
• 年，卷（期）: 1999,（2）
• 所属期刊栏目: 科研论文
• 页码范围: 92-96
• 分类号: TN302|TN248|TN201
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.1999.02.006

摘要

把量子统计的密度矩阵理论与电子的统计分布行为相结合,克服了发散困难,首次成功地处理了连续谱与连续谱之间的组态相互作用.得出能够针对半导体Ⅱ类量子阱中能谱结构特点的法诺态及其相应的吸收谱和发射谱结构.结果表明,这些特性都在一定程度上是可控的,因此通过适当的设计完全可以在半导体Ⅱ类量子阱中实现无粒子数反转的增益,制成无粒子数反转的半导体激光器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭长志		3	3	1.0	1.0
2	郭九苓		1	0	0.0	0.0
3	王舒民		1	0	0.0	0.0
4	陈水莲		1	0	0.0	0.0