AlGaInP高亮度发光二极管

• 作者: 曹青 李玉璋 王国宏 王树堂 陈良惠 马骁宇
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaInP 发光二极管 低压有机金属气相外延
• 年，卷（期）: 1999,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 110-114
• 分类号: TN14
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.1999.02.005

摘要

分析了AlGaInP材料的特点和AlGaInP高亮度发光二极管发光效率的决定因素,对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析,从理论上指出AlGaInP发光二极管在橙黄波段的发光效率的最终决定因素是光的提取效率,而在黄绿波段是发光二极管的内量子效率.并利用LP-MOCVD技术制备了cd级橙黄高亮度发光二极管,发光波长峰值在605nm,FWHM为18.3nm,20mA工作电流下,5.08cm(2英寸)外延片管芯平均轴向发光强度为20mcd,最大30mcd,平均工作电压1.9V,透明峰值角度2θ1/2=15°时轴向发光强度达到1000mcd.