沉积温度对碳化硅基体及其复合材料的影响

• 作者: 宋麦丽 王抗利 王涛 邹武 闫联生
• 来源期刊: 固体火箭技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 化学汽相淀积 陶瓷基复合材料
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 68-71
• 页数: 4页
• 分类号: TB332
• 字数: 2547字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-2793.1999.01.016

摘要

研究了沉积温度对化学气相渗透SiC基体微观结构及其碳纤维增强复合材料性能的影响.950℃沉积碳化硅为非晶态;1 000℃以上沉积出的碳化硅为结晶态,1 050℃沉积碳化硅晶体以(111)取向为主;1 250℃沉积碳化硅晶体以(220)取向为主.沉积温度升高,沉积深度和均匀性降低.制备毡基C/SiC复合材料的沉积温度为1 100～1 150℃;制备三维编织C/SiC复合材料的沉积温度约为1 000～1 050℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫联生	中国航天工业总公司四院四十三所	11	212	8.0	11.0
2	王涛	中国航天工业总公司四院四十三所	12	118	6.0	10.0
3	邹武	中国航天工业总公司四院四十三所	8	178	6.0	8.0
4	宋麦丽	中国航天工业总公司四院四十三所	4	66	3.0	4.0
5	王抗利	中国航天工业总公司四院四十三所	1	2	1.0	1.0