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摘要:
在对自蔓延高温合成方法制得的AIN晶须形态研究的基础上,采用高分辩电镜等技术,对AIN晶须进行了生长机理研究,结果表明,晶须头部的小液滴显示氮化铝晶须可由VLS机制生成.光滑晶须头部的出现、过饱和度与晶须直径的关系、侧面的二次生长、生长台阶的出现,这些都说明VS机制在起作用.虽然在AIN晶须中发现层错和位错,但经过分析认为,它们都不是氮化铝晶须的生长机制.
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文献信息
篇名 自蔓延高温合成氮化铝晶须形态和生长机理研究(2)
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 自蔓延高温合成 氮化铝 晶须 生长机理
年,卷(期) 1999,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 387-391
页数 5页 分类号 O784
字数 3093字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 江国健 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室 20 153 6.0 12.0
2 庄汉锐 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室 43 399 11.0 18.0
3 阮美玲 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室 19 186 10.0 13.0
4 王本民 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室 4 25 4.0 4.0
5 张炯 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室 13 124 5.0 11.0
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研究主题发展历程
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自蔓延高温合成
氮化铝
晶须
生长机理
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
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总被引数(次)
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