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摘要:
利用Monte Carlo方法,研究了薄膜电致发光器件中电子输运的瞬态过程,得出了电子平均动能、平均漂移速度及能谷转移过程随时间的变化规律. 电子输运的瞬态时间约为200 fs,瞬态长度约为30~40 nm. 界面发射出的电子平均动能只影响瞬态过程,对稳态的动能无影响. 进而提出了死层现象是由于电子输运的瞬态性质形成的,是这类器件的本征性的特点. 并对漂移速度尖峰的形成原因给出了新的解释.
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文献信息
篇名 薄膜电致发光器件中电子输运的瞬态过程
来源期刊 中国科学E辑 学科 物理学
关键词 电致发光 电子输运 瞬态过程 Monte Carlo模拟
年,卷(期) 1999,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 174-179
页数 6页 分类号 O4
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1006-9275.1999.02.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐征 北方交通大学光电子技术研究所 38 383 10.0 18.0
2 赵辉 北方交通大学光电子技术研究所 15 113 6.0 10.0
3 王永生 北方交通大学光电子技术研究所 26 151 7.0 10.0
4 徐叙 北方交通大学光电子技术研究所 5 29 4.0 5.0
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研究主题发展历程
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电致发光
电子输运
瞬态过程
Monte Carlo模拟
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中国科学(技术科学)
月刊
1674-7259
11-5844/TH
北京东黄城根北街16号
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