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摘要:
介绍了一个采用0.6 μm数字CMOS工艺制作的能隙基准电压源电路,该电路具有小的硅片面积(0.06 mm2)、高电源抑制比和较低温度系数.在该电路应用于高精度电路的偏置系统时,还可增加改善输出偏置电流温度系数的电路.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 一种高电源抑制比CMOS能隙基准电压源
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 能隙基准电压源 电源抑制比 温度系数
年,卷(期) 1999,(2) 所属期刊栏目 技术报告
研究方向 页码范围 128-131
页数 分类号 TN432|TN47
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-3365.1999.02.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 程君侠 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 32 310 9.0 17.0
2 徐志伟 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 9 126 4.0 9.0
3 刘韬 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 2 114 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
能隙基准电压源
电源抑制比
温度系数
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
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21140
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