微波肖特基势垒二极管硅化物工艺技术研究

• 作者: 何放 李恒 钟星学
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅化物 肖特基势垒 微波
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 所属期刊栏目: 器件研究与制造
• 页码范围: 24-28
• 页数: 5页
• 分类号: TN311+.7
• 字数: 2991字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.1999.06.007

摘要

对微波肖特基中、低势垒二极管硅化物的工艺技术进行了研究.用Ni-Si硅化物作中势垒硅化物,用Ti-Si硅化物作低势垒硅化物.通过设计和工艺实验,得到温度、时间、真空度等最佳工艺技术条件.在保持微波肖特基二极管势垒特征的同时,提高了反向电压,增强了它的稳定性和可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李恒	亚光电子有限责任公司研究所	1	8	1.0	1.0
2	钟星学	亚光电子有限责任公司研究所	1	8	1.0	1.0
3	何放	亚光电子有限责任公司研究所	1	8	1.0	1.0