RbTiOAsO4晶体中的生长缺陷和生长机制

• 作者: 刘宏 刘耀岗 崔伟红 王继扬 胡小波 魏景谦
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: RbTiOAsO4晶体 位错 生长扇界 生长机制 同步辐射形貌术 非线性光学晶体
• 年，卷（期）: 1999,（3）
• 页码范围: 219-223
• 页数: 5页
• 分类号: O782.4|O772
• 字数: 2340字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.1999.03.002

摘要

采用熔盐法生长了大尺寸RbTiOAsO4晶体.利用同步辐射形貌术和化学腐蚀法,研究了RbTiOAsO4晶体中的生长缺陷.发现该晶体中的生长缺陷主要为生长位错和生长扇界,大部分位错沿[100]方向,Burgers矢量为[001].在扫描电镜下,对原生RbTiOAsO4晶体的表面形态进行了观察,根据其表面二次电子像的特征,对不同晶面的生长控制机制进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王继扬	山东大学晶体材料国家重点实验室	200	1444	21.0	30.0
2	刘耀岗	山东大学晶体材料国家重点实验室	24	109	6.0	9.0
3	魏景谦	山东大学晶体材料国家重点实验室	18	65	4.0	7.0
4	胡小波	山东大学晶体材料国家重点实验室	67	321	9.0	14.0
5	崔伟红	山东大学晶体材料国家重点实验室	5	34	2.0	5.0
6	刘宏	山东大学晶体材料国家重点实验室	76	778	13.0	26.0