宽禁带半导体功率器件

• 作者: 刘海涛 陈启秀
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 宽禁带半导体 功率器件 碳化硅 金刚石
• 年，卷（期）: 1999,（2）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 3700字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.1999.02.001

摘要

阐述了宽禁带半导体的主要特性与SiC、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题,并对其未来的发展作出展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘海涛	浙江大学信电系功率器件研究所	49	256	8.0	15.0
2	陈启秀	浙江大学信电系功率器件研究所	8	43	4.0	6.0