在FEA中使用的MOSFET技术

• 作者: 季旭东
• 来源期刊: 光电技术
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET FED FEA 场致发射阵列 场致发射显示
• 年，卷（期）: 1999,（2）
• 页码范围: 74-79
• 页数: 6页
• 分类号: TN141

摘要

本文对以ＭＯＳＦＥＴ（金属氧化物硅场效应薄膜晶体管）技术提高ＦＥＤ（场致发射显示）等器件的ＦＥＡ（场致发射阵列）阴极发射电流的稳定性作了说明，并就对ＭＯＳＦＥＴ技术的改进作了介绍。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	季旭东		72	192	7.0	13.0