SiC电热元件的高温失效分析

• 作者: 于家洪 常春 李木森 田雷言
• 来源期刊: 金属热处理
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 电热元件 氧化物 气泡
• 年，卷（期）: 1999,（8）
• 所属期刊栏目: 失效分析
• 页码范围: 35-36
• 分类号: TG1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-6051.1999.08.017

摘要

对炉用SiC电热元件在空气介质中于1000℃～1580℃范围的高温失效行为进行了试验分析.元件表面在高温下形成熔融态SiO2薄层.由于在氧化反应中生成气体而产生气泡,气泡破裂后材料表面失去保护层,导致了高温氧化的加剧.文中对SiC电热元件在不同温度下的脱落物进行了分析,对SiC电热元件高温失效的原因进行了综合讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李木森	山东工业大学材料科学与工程学院	8	57	5.0	7.0
2	于家洪	山东工业大学材料科学与工程学院	4	61	3.0	4.0
3	常春	山东工业大学材料科学与工程学院	1	11	1.0	1.0
4	田雷言	山东工业大学材料科学与工程学院	1	11	1.0	1.0