负离子配位多面体生长基元的理论模型与晶粒形貌

• 作者: 仲维卓 施尔畏 李汶军 殷之文
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 生长基元 形貌 水热法 晶体界面 生长机理
• 年，卷（期）: 1999,（2）
• 页码范围: 117-125
• 分类号: O781
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.002

摘要

本文介绍了一种新的形貌判定准则--配位多面体生长习性法则.首先在负离子配位多面体生长基元模型的基础上建立了晶体的生长机理模型和界面模型,在此基础上提出了晶体形貌判定法则.即晶体的各晶面的生长速度与其结构中的配位多面体在界面上显露的元素种类有关.显露配位多面体顶点的晶面生长速度快,显露面的晶面生长速度慢,显露棱的晶面生长速度介于两者之间.此外,晶体的各晶面的生长速度还与配位多面体在界面上显露的元素数目有关.显露配位多面体元素数目多的晶面生长速度快.根据此法则成功地解释了γ-AlO(OH)晶体和极性晶体ZnO,SiO2的形貌特征.最后,本文还提出了两种晶体形貌的调制方法,即添加剂调制法和过饱和度调制法.成功地调制了ZnO晶体的形貌.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	仲维卓	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷超细结构国家重点实验室	40	1092	19.0	32.0
2	殷之文	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷超细结构国家重点实验室	69	1195	20.0	33.0
3	施尔畏	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷超细结构国家重点实验室	71	1736	25.0	41.0
4	李汶军	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷超细结构国家重点实验室	24	1290	19.0	24.0