基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
利用稀土直接掺杂工艺对电子俘获材料CaS:Eu,Sm进行了配方优化,确定了最佳的激活剂浓度,并结合光谱测试,分析了引起CaS:Eu,Sm红外上转换发光浓度猝灭的原因.
推荐文章
荧光猝灭法测定痕量铜
荧光猝灭法
蒽醌
电子俘获材料CaS:Eu,Sm可见光激发优势机理的研究
电子俘获材料
荧光光谱
红外上转换激发光谱
CdTe量子点荧光猝灭法测定铜离子的研究
量子点
铜离子
荧光猝灭
过渡金属离子对磺化硫桥杯[4]芳烃-铽[Ⅲ]配合物荧光的猝灭
磺化硫桥杯[4]芳烃
过渡金属离子
荧光猝灭
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 电子俘获材料的浓度猝灭
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 电子俘获材料 稀土直接掺杂工艺 浓度猝灭
年,卷(期) 1999,(3) 所属期刊栏目 科研论文
研究方向 页码范围 171-174
页数 4页 分类号 TN304.2
字数 3103字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5868.1999.03.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王永昌 西安交通大学理学院现代物理研究所 65 635 16.0 21.0
2 侯洵 中国科学院西安光学精密机械研究所 92 1070 17.0 28.0
3 刘英 中国科学院西安光学精密机械研究所 63 645 16.0 23.0
4 范文慧 西安交通大学理学院现代物理研究所 7 87 5.0 7.0
5 过晓晖 中国科学院西安光学精密机械研究所 1 5 1.0 1.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (17)
共引文献  (7)
参考文献  (9)
节点文献
引证文献  (5)
同被引文献  (23)
二级引证文献  (25)
1981(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1986(2)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(1)
1987(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
1991(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1993(5)
  • 参考文献(3)
  • 二级参考文献(2)
1994(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
1995(3)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(3)
1996(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1997(3)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(2)
1998(4)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(2)
1999(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
1999(3)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
1999(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2001(3)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(3)
2006(2)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(2)
2008(2)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(1)
2010(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2011(2)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(1)
2012(5)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(5)
2013(4)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(4)
2014(3)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(2)
2015(5)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(4)
2017(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2019(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
电子俘获材料
稀土直接掺杂工艺
浓度猝灭
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
论文1v1指导