晶体管发射极电流集边效应物理意义之探讨

• 作者: 石林初
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体管原理 发射极电流集边效应 基区电阻 发射区有效周长 有效发射区宽度
• 年，卷（期）: 1999,（3）
• 所属期刊栏目: 器件研究与制造
• 页码范围: 14-18
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 2743字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.1999.03.003

摘要

由基区电阻的自偏压引起的晶体管发射极电流集边效应,是限制晶体管承载电流能力的因素之一[1～4].本文以发射极电流集边效应发生的程度,分为四个区域,详细探讨了归一化电位和电流密度分布的特点,指出:在Ⅰ～Ⅱ区,发射极电流集边效应不明显,晶体管承载电流能力主要由发射区面积决定;在Ⅰ～Ⅲ区,发射极电流集边效应明显,晶体管承载电流能力由发射区面积和发射区有效周长共同决定;在Ⅰ～Ⅳ区发射极电流集边效应已非常突出,晶体管承载电流能力由发射区有效周长决定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石林初		8	24	3.0	4.0