Cd1-xZnx合金组元分压控制下高阻CdZnTe晶体的熔体生长

• 作者: 刘冬华 史伟民 李志峰 杨炬 桑文斌 王林军 苏宇 钱永彪 闵嘉华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdZnTe晶体 布里奇曼法 CdZnTe熔体平衡分压 γ探测器
• 年，卷（期）: 1999,（4）
• 页码范围: 328-334
• 页数: 7页
• 分类号: O782.5
• 字数: 3318字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.004

摘要

本文运用热力学关系估算了CdZnTe熔体平衡分压.尝试以Cd1-xZnx合金源替代Cd源控制Cd分压和Zn分压进行了Cd 0.8Zn 0.2Te晶体熔体生长,探讨了熔体分压与晶体电阻率的关系.获得的Cd 0.8Zn 0.2Te晶体的电阻率接近1010Ω·cm,高于同类方法文献报道1～2个数量级.晶体的结构完整性较好,平均腐蚀坑密度(EPD)为2×105cm-2,纵向组成分布偏离度在4%左右,红外透过率大于60%,晶体中第二相和沉淀物明显减少,优于仅采用Cd分压控制的Cd0.8Zn0.2Te晶体.