Re掺杂对Hg系超导体U-J关系的影响

• 作者: 孙学峰 张军 李晓光 赵霞
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 年，卷（期）: 1999,（4）
• 页码范围: 283-286
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 1866字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.1999.04.010

摘要

本文研究了Hg0.7Cr0.3Sr2Ca2Cu3Oy, HgBa2Ca2Cu2.9Re0.1Oy, HgSr2Ca3Cu3.8}Re0.2Oy的磁性,发现Re的掺入会改变U-J关系.由驰豫测量结果分析得到Hg(Re)-1223,Hg(Re)-1234具有对数钉扎势U=U0H-nln(Jc0/J),其中对Hg(Re)-1223在20K～60K范围里U0和Jc0近似与温度无关; 对Hg(Re)-1234,U0和Jc0与磁场和温度有关.而Hg-1223具有幂次方钉扎势U=U0(Jc0/J)μ.另外,由磁化曲线M(H)的测量得到临界电流密度随磁场的变化关系.结果表明Hg(Re)-1223在20K～90K、Hg(Re)-1234在20K～70K的温度范围内,临界电流密度随磁场的变化关系均可以用由对数钉扎势得出的Jc(H)关系很好地描述.我们认为Re掺入引起的体系的各向异性的减小和岛状钉扎中心,使得材料钉扎能力增强并引起U-J关系的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张军	中国科学技术大学材料科学与工程系	174	1849	19.0	39.0
2	李晓光	中国科学院内耗与固体缺陷开放研究实验室	55	673	9.0	25.0
3	赵霞	中国科学技术大学材料科学与工程系	31	167	8.0	12.0
4	孙学峰	中国科学院内耗与固体缺陷开放研究实验室	15	4	2.0	2.0