NO(X2Π1/2,3/2)υ=1←0塞曼跃迁谱及其特性研究

• 作者: 刘效庸 刘煜炎 刘红平 李奉延 李津蕊 林洁丽 郭远清 高晖 黄光明
• 来源期刊: 波谱学杂志
• 学科: 其他
• 关键词: NO 激光磁共振 塞曼效应 光谱特性
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 页码范围: 477-484
• 分类号: O581
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-4556.1999.06.001

摘要

根据塞曼效应理论和激光磁共振光谱技术(LMR)的基本原理,讨论了双原子分子2П态的塞曼效应特性并导出了解释分子塞曼跃迁的简明代数拟合方程,用这些方程对14N16O(X2Π1/2,3/2)及15N16O(X2Π3/2) (υ=1←0)的LMR谱线进行数据拟合,得到塞曼跃迁上、下子能级的gJ因子值和二级塞曼效应因子k2.将按Hund耦合情形(a)及过渡情形(ab)的理论和拟合方程计算出的磁场位置分别与实验结果相比较,结果表明对NO分子而言,过渡情形(ab)能较真实反映它的耦合情况,且在较高强度磁场下,必须计及二级塞曼修正.验证了采用上述代数拟合方程实现新分子LMR谱线标识和指认的可靠性,并提供了系统的处理方法.