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摘要:
介绍了C波段低端的GaAs FET压控振荡器(VCO).这种振荡器采用混合参数设计技术,选用新型场效应晶体管(FET)反沟道电路接法.分析了电路工作原理及影响电压调制带宽的诸因素,提出并解决了一些技术难题,给出了测试结果.结果表明这种VCO具有较大的优越性.
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文献信息
篇名 混合参数高灵敏度微波GaAs FET压控振荡器的研制
来源期刊 现代雷达 学科 工学
关键词 压控振荡器 场效应晶体管 变容二极管
年,卷(期) 1999,(4) 所属期刊栏目 器件研究和应用
研究方向 页码范围 100
页数 分类号 TN95
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-7859.1999.04.018
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 叶海荣 3 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
压控振荡器
场效应晶体管
变容二极管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代雷达
月刊
1004-7859
32-1353/TN
大16开
南京3918信箱110分箱
28-288
1979
chi
出版文献量(篇)
5197
总下载数(次)
19
总被引数(次)
32760
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