应变多量子阱激光器的结构稳定性

• 作者: 刘式墉 安海岩 杨树人 金智
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 净应力 应变多量子阱 位错的动力学模型 应变弛豫
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 所属期刊栏目: 科研论文
• 页码范围: 393-396
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2625字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.1999.06.007

摘要

通过计算应变多量子阱中的净应力和应变弛豫,讨论了激光器结构中应变多量子阱的稳定性.净应力是失配位错增殖的驱动力,是应变多量子阱稳定的重要判据.因此,用单结点模型计算了应变多量子阱结构中的净应力.计算结果表明,净应力的最大值在应变多量子阱结构中的位置与阱层和垒层的厚度以及阱层的失配有关,非应变垒层和盖层能在一定程度上稀释净应力.在此基础上,利用动力学模型计算了应变多量子阱的应变弛豫.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘式墉	吉林大学电子工程系	57	381	11.0	17.0
2	杨树人	吉林大学电子工程系	16	52	4.0	7.0
3	金智	吉林大学电子工程系	1	0	0.0	0.0
4	安海岩	吉林大学电子工程系	1	0	0.0	0.0