等离子体源离子植入中的关键问题

• 作者: Rej.,DJ 思虹
• 来源期刊: 国外核聚变与等离子体应用
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体源 离子植入 离子源 胞中粒子计算
• 年，卷（期）: 1999,（3）
• 页码范围: 72-80
• 页数: 9页
• 分类号: TN305.3

摘要

等离子体源离子植入（ＰＳＩＩ）是一项用于材料表面改性的可按比例增大的非视线方法，本文中，我们研究了在ＰＳＩＩ大规模商用应解决的三个重要问题，它们是：（１）植入保形性；（２）离子源和（３）级电子发射，为了确保复杂形状物体上的均匀的植入剂量，离子鞘层厚度必须足够小，这个标准对离子源和脉冲电源提出了要求，至今，另一个局限是除了Ｂ，Ｃ，Ｎ和Ｏ外其他类型离子的可用性，可能的解决办法是使用金属电弧蒸发源和在高