直接光CVD类金刚石碳膜的初期成膜结构

• 作者: 廖伟 张敏 杜开瑛 石瑞英 谢茂浓
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 类金刚石膜 光化学汽相淀积 X射线光电子能谱 扫描电子显微镜
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 所属期刊栏目: 科研论文
• 页码范围: 405-408
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.18|TN304.055
• 字数: 2289字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.1999.06.010

摘要

以微波激励氙(Xe)发射的真空紫外光(VUV)作光源,乙炔(C2H2)作反应气体,采用直接光化学汽相淀积(CVD)工艺,在硅(Si)、钼(Mo)及玻璃衬底上,120 ℃的低温下进行了类金刚石碳(DLC)膜的试生长.用X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)等手段进行了初期成膜结构的测试分析.测试结果表明,在所有三种衬底上均能淀积生成DLC膜.其中C1s态原子的含量在69.98%～74.60%之间,相应的键合能为285.0～285.6 eV.淀积膜是以SP2键结构为主的DLC膜.实验结果也表明,氧在成膜过程中是影响最大的因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张敏	四川大学物理系	180	1058	18.0	27.0
2	谢茂浓	四川大学物理系	11	57	3.0	7.0
3	石瑞英	四川大学物理系	28	141	7.0	11.0
4	杜开瑛	四川大学物理系	2	39	2.0	2.0
5	廖伟	四川大学物理系	5	51	3.0	5.0