钛掺杂对介孔硅材料结构性能的影响

• 作者: 严东生 施剑林 王连洲 禹剑 阮美玲
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 介孔硅材料 Ti掺杂 介孔结构
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 49-54
• 分类号: TM285
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.1999.01.008

摘要

在室温碱性条件下合成了Ti掺杂的介孔硅材料MCM-41,借助XRD、IR、HREM和N2吸附等分析手段, 探讨了Ti掺杂量对介孔材料结构和性能的影响. 结果表明: 掺杂的Ti离子可以进入Si骨架,并生成Si-O-Ti键. 随着Ti掺杂量的增加,六方规则排列的介孔硅结构有序度下降,最终可导致结构一致性的破坏.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施剑林	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室	72	1280	19.0	33.0
2	严东生	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室	38	902	15.0	29.0
3	王连洲	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室	8	330	8.0	8.0
4	禹剑	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室	8	378	8.0	8.0
5	阮美玲	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室	19	186	10.0	13.0