脉冲准分子激光沉积AlN薄膜的研究

• 作者: 周艳萍 林成鲁 王连卫 高剑侠 黄继颇
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝 脉冲激光沉积 介电性
• 年，卷（期）: 1999,（9）
• 所属期刊栏目: 实验技术与元件
• 页码范围: 815-818
• 分类号: TN2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.1999.09.012

摘要

采用ArF脉冲准分子激光沉积法并结合退火后处理工艺,在Si(111)衬底上成功地制备了AlN晶态薄膜.X射线衍射、扩展电阻与原子力显微镜等测试结果表明:薄膜具有(101)取向,平均晶粒大小为200 nm;薄膜介电性能优异,扩展电阻在108Ω以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王连卫	中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室	11	156	4.0	11.0
2	黄继颇	中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室	5	146	4.0	5.0
3	林成鲁	中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室	44	595	15.0	23.0
4	周艳萍	中国科学院上海硅酸盐所	4	53	4.0	4.0
5	高剑侠	中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室	3	17	3.0	3.0