IBAD MoS2-Ta膜的电子显微与能谱分析

• 作者: 刘仲阳 孙官清 廖小东 王培录 郑思孝
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子束辅助沉积 MoS2-Ta膜 MoS2膜 浸泡 氧化
• 年，卷（期）: 1999,（3）
• 页码范围: 143-148
• 页数: 6页
• 分类号: O57
• 字数: 3595字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.1999.03.004

摘要

用透射电子显微镜与能谱技术对离子束辅助沉积的MoS2-Ta膜的形态、结构、组成以及元素的化学态等进行了观察和分析.发现膜在沉积过程中已产生部分晶化,膜体出现衬度鲜明的白色"团簇"点缀的两相特殊形态.TEM与XPS分析确定白色"团簇"属析出的第二相TaS2.两区都具有(002)、(100)和(110)取向,面间距与晶格常数都比MoS2单晶增大,"白区"的参数又比膜基体略大.去离子水浸泡和高温氧化实验表明,MoS2-Ta膜的耐水解、抗氧化能力远比同一条件沉积的MoS2膜优越.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘仲阳	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理与技术国家教委开放实验室	16	109	7.0	10.0
2	孙官清	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理与技术国家教委开放实验室	12	77	5.0	8.0
3	郑思孝	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理与技术国家教委开放实验室	11	59	5.0	7.0
4	王培录	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理与技术国家教委开放实验室	10	59	5.0	7.0
5	廖小东	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理与技术国家教委开放实验室	11	60	5.0	7.0