GaAs/GaAlAs透射式光电阴极发射电子的平均横向能量

• 作者: 闫金良
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 成像器件 GaAs/GaAlAs光电阴极 平均横向发射能量 表面形貌 Cs/O激活层
• 年，卷（期）: 1999,（4）
• 所属期刊栏目: 科研论文
• 页码范围: 255-257
• 页数: 3页
• 分类号: O723|TN383.4
• 字数: 1907字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.1999.04.011

摘要

用扫描电镜观测了GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的表面形貌,计算了阴极表面形貌对阴极发射电子的平均横向能量的贡献,测量了阴极激活过程中阴极发射电子的平均横向能量随激活时间的变化.结果表明,GaAs/GaAlAs阴极表层的Cs/O激活层对电子的散射是导致阴极发射电子的平均横向能量值增高的根本原因.最后提出减少阴极发射电子的平均横向能量的技术途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫金良	西安交通大学电信学院	8	41	3.0	6.0